计算下图施密特触发电路的 V T+。已知 R 1 =5k Ω , R 2 =10k Ω , R 3 =33k Ω 。 G 1 和 G 2 为CMOS反相器,它们的电源电压为 V DD =5V ,输出高电平 V OH ≈5V ,输出低电平 V OL ≈0V ,阈值电压 V TH =0.5 V DD =2.5V 。

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计算下图施密特触发电路的VT+。已知R1=5kΩR2=10kΩR3=33kΩG1G2为CMOS反相器,它们的电源电压为VDD=5V,输出高电平VOH≈5V,输出低电平VOL≈0V,阈值电压VTH=0.5VDD=2.5V
计算下图施密特触发电路的 V T+。已知 R 1 =5k Ω , R 2 =10k Ω , R 3 =33k Ω 。 G 1 和 G 2 为CMOS反相器,它们的电源电压为 V DD =5V ,输出高电平 V OH ≈5V ,输出低电平 V OL ≈0V ,阈值电压 V TH =0.5 V DD =2.5V 。
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