SRAM：静态随机存储器
DRAM：动态随机存储器

SRAM

组成：采用锁存器作为记忆单元，用静态存储单元构成的存储器成为静态存储器，通常有NMOS和COMS两种。

优点：
1.数据由锁存器记忆，不需要另设电路定期刷新。
2.存取速度很快（SRAM采用了与制作CPU相同的半导体工艺）。

缺点：
1.所有元件较多，集成度比DRAM低。
2.功耗较大。
3.体积较大，制造成本比DRAM高。

DRAM

组成：采用MOS管的栅电容（分布电容）来存储数据，用动态存储单元构成的储存器称为动态存储器。

优点：所用元件少，集成度高，功耗低，便于大规模集成

缺点：
1.需要定期刷新，外围电路比较复杂
2.刷新器件不能进行读写操作，使有效利用时间受到限制

刷新方式：
1.集中刷新：在规定的一个刷新周期内，对全部存储单元集中一段时间进行逐步刷新，此刻必须停止读/写操作
2.分散刷新：指对每行存储单元的刷新分散到每个存储周期内完成
3.异步刷新：是集中刷新和分散刷新的结合
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