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现在有个设计需求是每个时钟周期对SRAM内容进行累加1操作，即需要把指定地址的旧内容读出来，做加1操作得到新数据，然后再将新数据回写到SRAM。为了满足这个需求，该选用上述哪种类型的SRAM？

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现在有个设计需求是每个时钟周期对SRAM内容进行累加1操作，即需要把指定地址的旧内容读出来，做加1操作得到新数据，然后再将新数据回写到SRAM。为了满足这个需求，该选用上述哪种类型的SRAM？

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